STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 56 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
719-470
Producentens varenummer:
SCT025W120G3-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

Sct

Emballagetype

Hip-247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Effektafsættelse maks. Pd

388W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.9mm

Højde

25.27mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Meget høj driftstemperaturområde (TJ svarende til 200 °C)

Source sensing pin for øget effektivitet