STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 4.852,50

(ekskl. moms)

Kr. 6.065,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 161,75Kr. 4.852,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-228
Producentens varenummer:
SCT027W65G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

313W

Portkildespænding maks.

-10 to 22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links