STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-958
- Producentens varenummer:
- SCT040W120G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 91,63
(ekskl. moms)
Kr. 114,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 91,63 |
| 10 - 99 | Kr. 84,75 |
| 100 + | Kr. 83,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-958
- Producentens varenummer:
- SCT040W120G3-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1200V | |
| Portkildespænding maks. | -10V, 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ECOPACK2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1200V | ||
Portkildespænding maks. -10V, 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ECOPACK2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 1 N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101