STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101 SCT040W120G3-4

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 105,32

(ekskl. moms)

Kr. 131,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 30 enhed(er) afsendes fra 28. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 105,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-958
Producentens varenummer:
SCT040W120G3-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Emballagetype

Hip-247-4

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1200V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Portkildespænding maks.

-10 to 22 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

RoHS, ECOPACK2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links