STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 4.920,57

(ekskl. moms)

Kr. 6.150,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 164,019Kr. 4.920,57

*Vejledende pris

RS-varenummer:
239-5529
Producentens varenummer:
SCTW60N120G2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

73mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

18 V

Effektafsættelse maks. Pd

389W

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

15.6 mm

Længde

34.8mm

Højde

5mm

Standarder/godkendelser

UL

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen. Den kan bruges i switch-mode strømforsyning, DC-DC-konvertere og industriel motorstyring.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Meget høj samledåstemperatur

Relaterede links