STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 110 A 900 V Forbedring, 3 Ben, HIP-247-3, Sct AEC-Q101 SCT012W90G3AG

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 147,51

(ekskl. moms)

Kr. 184,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 09. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 147,51
5 +Kr. 143,09

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-464
Producentens varenummer:
SCT012W90G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

900V

Emballagetype

HIP-247-3

Serie

Sct

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

2.8V

Effektafsættelse maks. Pd

625W

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

138nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

20.15mm

Længde

15.75mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links