STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 110 A 900 V Forbedring, 3 Ben, HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 719-464
- Producentens varenummer:
- SCT012W90G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 165,23
(ekskl. moms)
Kr. 206,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 286 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 165,23 |
| 5 + | Kr. 160,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-464
- Producentens varenummer:
- SCT012W90G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Serie | Sct | |
| Emballagetype | HIP-247-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 625W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.8V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 138nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Serie Sct | ||
Emballagetype HIP-247-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 625W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.8V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 138nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Bredde 5.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
AEC-Q101 kvalificeret
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 65 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101