STMicroelectronics N-Kanal, 110 A 900 V Forbedring, 3 Ben, HIP-247-3, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 671-931
- Producentens varenummer:
- SCT012W90G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 671-931
- Producentens varenummer:
- SCT012W90G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) | 110 A | |
| Drain source spænding maks. (Vds) | 900 V | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Benantal | 3 | |
| Emballagetype | HIP-247-3 | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Højde | 5.15 mm | |
| Længde | 35.9 mm | |
| Drain source modstand maks. (Rds) | 15.8 mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200 °C | |
| Effektafsættelse maks. (Pd) | 625 W | |
| Min. driftstemperatur | -55 °C | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk | 138 nC | |
| Bredde | 15.75 mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) 110 A | ||
Drain source spænding maks. (Vds) 900 V | ||
Kanalform Forbedring | ||
Benantal 3 | ||
Emballagetype HIP-247-3 | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Højde 5.15 mm | ||
Længde 35.9 mm | ||
Drain source modstand maks. (Rds) 15.8 mΩ | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Driftstemperatur maks. 200 °C | ||
Effektafsættelse maks. (Pd) 625 W | ||
Min. driftstemperatur -55 °C | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk 138 nC | ||
Bredde 15.75 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 4 Ben STPOWER Gen3 SiC AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 4 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 900 V Forbedring HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 1.2 kV Forbedring Hip-247, SCT10N120H
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1.2 kV Forbedring Hip-247, SCT30N120H
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101