STMicroelectronics Type N-Kanal, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- RS-varenummer:
- 671-932
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 671-932
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 385W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.25mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 385W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.25mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 Ben STPOWER Gen3 SiC AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCTH35