STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 107,41

(ekskl. moms)

Kr. 134,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 107,41
10 - 49Kr. 98,36
50 - 99Kr. 91,85
100 +Kr. 85,42

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-465
Producentens varenummer:
SCT018H65G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

Sct

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79.4nC

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.8mm

Længde

15.25mm

Bredde

10.4 mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links