STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 111,90

(ekskl. moms)

Kr. 139,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 111,90
5 +Kr. 108,53

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-465
Producentens varenummer:
SCT018H65G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

Sct

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Effektafsættelse maks. Pd

385W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79.4nC

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Højde

4.8mm

Bredde

10.4 mm

COO (Country of Origin):
CN