STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct
- RS-varenummer:
- 719-465
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 125,29
(ekskl. moms)
Kr. 156,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 296 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 125,29 |
| 10 - 49 | Kr. 114,74 |
| 50 - 99 | Kr. 107,11 |
| 100 + | Kr. 99,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-465
- Producentens varenummer:
- SCT018H65G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | Sct | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 385W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.25mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie Sct | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 385W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.25mm | ||
Højde 4.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Source sensing pin for øget effektivitet