STMicroelectronics Type N-Kanal, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
671-934
Producentens varenummer:
SCT018HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Emballagetype

HU3PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

21.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

82.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

388W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

35.9mm

Højde

5.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
IT

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.