STMicroelectronics Type N-Kanal, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 671-935
- Producentens varenummer:
- SCT018W65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 671-935
- Producentens varenummer:
- SCT018W65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 398W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.15mm | |
| Længde | 35.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 398W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.15mm | ||
Længde 35.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN