STMicroelectronics N-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 719-466
- Producentens varenummer:
- SCT018HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 134,79
(ekskl. moms)
Kr. 168,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 19 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 134,79 |
| 5 + | Kr. 130,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-466
- Producentens varenummer:
- SCT018HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | Sct | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 388W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 14.1mm | |
| Længde | 19mm | |
| Højde | 3.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie Sct | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 388W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 14.1mm | ||
Længde 19mm | ||
Højde 3.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Source sensing pin for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 60 A 650 V HU3PAK, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 26 A 650 V N HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 750 V Forbedring HU3PAK, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101