STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 719-466
- Producentens varenummer:
- SCT018HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 134,79
(ekskl. moms)
Kr. 168,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 79 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 134,79 |
| 5 + | Kr. 130,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-466
- Producentens varenummer:
- SCT018HU65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Serie | Sct | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 388W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 3.6mm | |
| Længde | 19mm | |
| Bredde | 14.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Serie Sct | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79.4nC | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 388W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 3.6mm | ||
Længde 19mm | ||
Bredde 14.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Source sensing pin for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 26 A 650 V N HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 750 V Forbedring HU3PAK, SCT
- STMicroelectronics 60 A 650 V HU3PAK, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 110 A 900 V Forbedring HIP-247-3, Sct AEC-Q101