STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 120,35

(ekskl. moms)

Kr. 150,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 80 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 120,35
5 +Kr. 116,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-466
Producentens varenummer:
SCT018HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

Sct

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

21.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

388W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

3.6mm

Bredde

14.1 mm

Længde

19mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links