STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101 SCT018HU65G3AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 120,35

(ekskl. moms)

Kr. 150,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 280 enhed(er) afsendes fra 09. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 120,35
5 +Kr. 116,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-466
Producentens varenummer:
SCT018HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

Sct

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

21.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

388W

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79.4nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

14.1 mm

Længde

19mm

Højde

3.6mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links