STMicroelectronics, Effekt MOSFET, 60 A 650 V, 7 Ben, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101 SCT027HU65G3AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 114,14

(ekskl. moms)

Kr. 142,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 590 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 114,14
10 - 99Kr. 102,78
100 +Kr. 94,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-233
Producentens varenummer:
SCT027HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

SCT0

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

14 mm

Højde

3.5mm

Længde

18.58mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics Power MOSFET-enhed i siliciumcarbid er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links