STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101 STHU65N050DM9AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 600 enheder)*

Kr. 21.585,60

(ekskl. moms)

Kr. 26.982,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
600 +Kr. 35,976Kr. 21.585,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
481-133
Producentens varenummer:
STHU65N050DM9AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

STHU65

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

14.1 mm

Længde

11.9mm

Højde

3.6mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics N-Kanal Power MOSFET er bygget på den banebrydende super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er ideel til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ultralav RDS(on) pr. område og integrerer en diode til hurtig gendannelse. Den avancerede siliciumbaserede DM9-proces har en multi-drain-struktur, der forbedrer enhedens samlede ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), kort gendannelsestid (trr) og minimal RDS(on) er denne hurtigt skiftende MOSFET perfekt egnet til højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Lav gate-ladning og modstand

100% lavine testet

Ekstremt høj dv/dt-robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links