STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 68,67

(ekskl. moms)

Kr. 85,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 68,67
10 - 49Kr. 55,64
50 - 99Kr. 42,60
100 +Kr. 37,79

*Vejledende pris

RS-varenummer:
481-135
Producentens varenummer:
STHU65N050DM9AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

STHU65

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

3.6mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bredde

14.1 mm

Længde

11.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics N-Kanal Power MOSFET er bygget på den banebrydende super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er ideel til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ultralav RDS(on) pr. område og integrerer en diode til hurtig gendannelse. Den avancerede siliciumbaserede DM9-proces har en multi-drain-struktur, der forbedrer enhedens samlede ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), kort gendannelsestid (trr) og minimal RDS(on) er denne hurtigt skiftende MOSFET perfekt egnet til højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Lav gate-ladning og modstand

100% lavine testet

Ekstremt høj dv/dt-robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links