STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 481-135
- Producentens varenummer:
- STHU65N050DM9AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 61,19
(ekskl. moms)
Kr. 76,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 61,19 |
| 10 - 49 | Kr. 49,67 |
| 50 - 99 | Kr. 38,00 |
| 100 + | Kr. 33,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 481-135
- Producentens varenummer:
- STHU65N050DM9AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | STHU65 | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 3.6mm | |
| Længde | 11.9mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie STHU65 | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 3.6mm | ||
Længde 11.9mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics N-Kanal Power MOSFET er bygget på den banebrydende super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er ideel til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ultralav RDS(on) pr. område og integrerer en diode til hurtig gendannelse. Den avancerede siliciumbaserede DM9-proces har en multi-drain-struktur, der forbedrer enhedens samlede ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), kort gendannelsestid (trr) og minimal RDS(on) er denne hurtigt skiftende MOSFET perfekt egnet til højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.
Lav gate-ladning og modstand
100% lavine testet
Ekstremt høj dv/dt-robusthed
Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 51 A 650 V N HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 26 A 650 V N HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 60 A 650 V Forbedring HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 51 A 650 V Forbedring H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 54 A 600 V Forbedring HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V HU3PAK, STHU36N AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 36 A 600 V HU3PAK, STHU47 AEC-Q101