STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 481-129
- Producentens varenummer:
- STH65N050DM9-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 50,71
(ekskl. moms)
Kr. 63,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 286 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 50,71 |
| 10 - 49 | Kr. 40,99 |
| 50 - 99 | Kr. 31,42 |
| 100 + | Kr. 27,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 481-129
- Producentens varenummer:
- STH65N050DM9-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | STH65N | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie STH65N | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET er bygget på avanceret super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er designet til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ekstremt lav RDS(on) pr. område og en diode med hurtig gendannelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv switching. DM9-siliciumteknologien anvender en multi-drain-produktionsproces, der forbedrer enhedens struktur og ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), hurtig gendannelsestid (trr) og lav RDS(on) er denne MOSFET optimeret til krævende brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.
Lav gate-ladning og modstand
100% lavine testet
Ekstremt høj dv/dt-robusthed
Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 51 A 650 V Forbedring H2PAK-7, STH65N AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 650 V Udtømning H2PAK, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V H2PAK-7
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCTH35
- STMicroelectronics Type N-Kanal 116 A 650 V Forbedring H2PAK, SCTH90
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET