STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 58,79

(ekskl. moms)

Kr. 73,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 288 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 58,79
10 - 49Kr. 47,57
50 - 99Kr. 36,43
100 +Kr. 32,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
481-129
Producentens varenummer:
STH65N050DM9-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

STH65N

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Længde

15.25mm

Bredde

24.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET er bygget på avanceret super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er designet til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ekstremt lav RDS(on) pr. område og en diode med hurtig gendannelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv switching. DM9-siliciumteknologien anvender en multi-drain-produktionsproces, der forbedrer enhedens struktur og ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), hurtig gendannelsestid (trr) og lav RDS(on) er denne MOSFET optimeret til krævende brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Lav gate-ladning og modstand

100% lavine testet

Ekstremt høj dv/dt-robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links