STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90 Nej SCTH90N65G2V-7
- RS-varenummer:
- 201-0869
- Producentens varenummer:
- SCTH90N65G2V-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 198,07
(ekskl. moms)
Kr. 247,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 198,07 |
| 5 - 9 | Kr. 186,10 |
| 10 - 24 | Kr. 176,30 |
| 25 - 49 | Kr. 166,43 |
| 50 + | Kr. 160,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-0869
- Producentens varenummer:
- SCTH90N65G2V-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 116A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTH90 | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 484W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.8 mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Højde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 116A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTH90 | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 484W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.8 mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Højde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 116 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.
Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 116 A 650 V Forbedring H2PAK, SCTH90 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK Nej SCTH35N65G2V-7AG
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 51 A 650 V Forbedring H2PAK-7, STH65N AEC-Q101