STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-955
- Producentens varenummer:
- SCT027H65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 86,62
(ekskl. moms)
Kr. 108,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 86,62 |
| 10 - 99 | Kr. 85,57 |
| 100 + | Kr. 84,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-955
- Producentens varenummer:
- SCT027H65G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.8mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.9V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.8mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 650 V Udtømning H2PAK, SCT