STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 137,78

(ekskl. moms)

Kr. 172,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 137,78
10 - 99Kr. 123,94
100 +Kr. 114,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-955
Producentens varenummer:
SCT027H65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48.6nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

2.9V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.8mm

Bredde

10.4 mm

Standarder/godkendelser

RoHS, AEC-Q101

Længde

15.25mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links