STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 100 enheder)*

Kr. 9.535,50

(ekskl. moms)

Kr. 11.919,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
100 +Kr. 95,355Kr. 9.535,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
224-9997
Producentens varenummer:
SCTH35N65G2V-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.8 mm

Længde

10.4mm

Højde

15.25mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Kildefensorstift for øget effektivitet

Relaterede links