STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK Nej SCTH35N65G2V-7AG
- RS-varenummer:
- 224-9999
- Producentens varenummer:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 108,61
(ekskl. moms)
Kr. 135,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 38 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 108,61 |
| 5 - 9 | Kr. 103,15 |
| 10 - 24 | Kr. 96,42 |
| 25 - 49 | Kr. 94,10 |
| 50 + | Kr. 91,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 224-9999
- Producentens varenummer:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.8 mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.8 mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Kildefensorstift for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V H2PAK-7, SCTH35 SCTH35N65G2V-7
- STMicroelectronics N-Kanal 51 A 650 V H2PAK-7, STH65N STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 98 A 650 V Depletion H2PAK-7, SCT SCTH100N65G2-7AG
- GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V H2PAK-7 1
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 650 V H2PAK - 7 SCT040H65G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 116 A 650 V H2PAK-7, SCTH90 SCTH90N65G2V-7
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V H2PAK-7, SCT SCT027H65G3AG