STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
224-9999
Producentens varenummer:
SCTH35N65G2V-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

15.25mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Kildefensorstift for øget effektivitet

Relaterede links