STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, STH65N AEC-Q101 STH65N050DM9-7AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 29.293,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.616,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 29,293Kr. 29.293,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
481-127
Producentens varenummer:
STH65N050DM9-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

STH65N

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.25mm

Bredde

24.3 mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET er bygget på avanceret super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er designet til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har ekstremt lav RDS(on) pr. område og en diode med hurtig gendannelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv switching. DM9-siliciumteknologien anvender en multi-drain-produktionsproces, der forbedrer enhedens struktur og ydeevne. Med meget lav gendannelsesladning (Qrr), hurtig gendannelsestid (trr) og lav RDS(on) er denne MOSFET optimeret til krævende brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Lav gate-ladning og modstand

100% lavine testet

Ekstremt høj dv/dt-robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links