STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90
- RS-varenummer:
- 201-0868
- Producentens varenummer:
- SCTH90N65G2V-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 201-0868
- Producentens varenummer:
- SCTH90N65G2V-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 116A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | SCTH90 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 484W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.8mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 116A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie SCTH90 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 484W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 10.4mm | ||
Bredde 4.8mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 116 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.
Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 116 A 650 V Forbedring H2PAK, SCTH90
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCTH35
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring H2PAK
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal N-Kanal 51 A 650 V Forbedring H2PAK-7, STH65N AEC-Q101