STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 116 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK, SCTH90 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 182.955,00

(ekskl. moms)

Kr. 228.694,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 182,955Kr. 182.955,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
201-0868
Producentens varenummer:
SCTH90N65G2V-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

116A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

H2PAK

Serie

SCTH90

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

484W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.8 mm

Længde

15.25mm

Højde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 116 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links