STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU36N AEC-Q101 STHU36N60DM6AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 26,93

(ekskl. moms)

Kr. 33,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 560 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 26,93
10 - 99Kr. 26,18
100 - 249Kr. 25,51
250 - 499Kr. 24,83
500 +Kr. 24,24

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
234-8898
Producentens varenummer:
STHU36N60DM6AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

STHU36N

Emballagetype

HU3PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

99mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

210W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46nC

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige genoprettelsesdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DMD 6 meget lav genoprettelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive koblingsformer på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.

AEC-Q101 kvalificeret

Diode til hus med hurtig genindvinding

Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Relaterede links