STMicroelectronics, MOSFET, 90 A 1200 V, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101 SCT019H120G3AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 192,98

(ekskl. moms)

Kr. 241,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 192,98
10 - 99Kr. 173,69
100 +Kr. 160,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-318
Producentens varenummer:
SCT019H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

SCT0

Drain source modstand maks. Rds

18.5mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

555W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-enhed i siliciumcarbid er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links