STMicroelectronics N-Kanal, Effekt MOSFET, 30 A 1.2 kV Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 215-242
- Producentens varenummer:
- SCT070HU120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 97,46
(ekskl. moms)
Kr. 121,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 207 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 97,46 |
| 10 - 99 | Kr. 72,86 |
| 100 - 599 | Kr. 71,96 |
| 600 + | Kr. 71,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-242
- Producentens varenummer:
- SCT070HU120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 14mm | |
| Højde | 3.5mm | |
| Længde | 18.58mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 14mm | ||
Højde 3.5mm | ||
Længde 18.58mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V Forbedring HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 750 V Forbedring HU3PAK, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, Sct