STMicroelectronics, MOSFET, 30 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCT0 AEC-Q101 SCT070W120G3AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 104,12

(ekskl. moms)

Kr. 130,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 104,12
10 - 99Kr. 93,72
100 +Kr. 86,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-234
Producentens varenummer:
SCT070W120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCT0

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

63mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3V

Portkildespænding maks.

18 V

Effektafsættelse maks. Pd

236W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-enhed i siliciumcarbid er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Meget høj driftstemperatur TJ svarende til 200 °C

Relaterede links