STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 5.192,10

(ekskl. moms)

Kr. 6.490,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 173,07Kr. 5.192,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-972
Producentens varenummer:
SCTWA40N12G24AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCTWA40N12G24AG

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Effektafsættelse maks. Pd

290W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.4V

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 2. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav on-modstand pr. arealenhed og en meget god koblingsydelse. Variationen i koblingstab er næsten uafhængig af overgangstemperaturen.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links