STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 90 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 131,42

(ekskl. moms)

Kr. 164,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 131,42
5 +Kr. 127,46

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-469
Producentens varenummer:
SCT019W120G3-4AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247-4

Serie

SCT019

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

19.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

486W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

120nC

Portkildespænding maks.

-10 to 22 V

Gennemgangsspænding Vf

2.8V

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

5.1mm

Bredde

15.9 mm

Længde

21.1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links