STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 90 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 719-469
- Producentens varenummer:
- SCT019W120G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 147,13
(ekskl. moms)
Kr. 183,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 147,13 |
| 5 + | Kr. 142,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-469
- Producentens varenummer:
- SCT019W120G3-4AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT019 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 486W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247-4 | ||
Serie SCT019 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 486W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.8V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
AEC-Q101 kvalificeret
Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Source sensing pin for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Hip-247, SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 110 A 900 V Forbedring HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101