STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101 SCT018W65G3AG

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 118,33

(ekskl. moms)

Kr. 147,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 299 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 118,33
5 +Kr. 114,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-468
Producentens varenummer:
SCT018W65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Emballagetype

HIP-247-3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

398W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Længde

15.75mm

Højde

20.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet