STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4 Nej SCTWA40N120G2V-4
- RS-varenummer:
- 212-2094
- Producentens varenummer:
- SCTWA40N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 120,28
(ekskl. moms)
Kr. 150,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 14 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 120,28 |
| 5 - 9 | Kr. 117,74 |
| 10 + | Kr. 110,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 212-2094
- Producentens varenummer:
- SCTWA40N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 277W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 277W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET med TFS (TFS) IGBT med samme mærkespænding og tilsvarende ON-state modstand. STPOWER SiC MOSFET udviser betydeligt reduceret skiftetab, selv ved høje temperaturer. Dette gør det muligt for designeren at arbejde ved meget høje switching-frekvenser, hvilket reducerer størrelsen af passive komponenter til mindre formfaktorer.
Meget lavt skiftetab
Lavt effekttab ved høje temperaturer
Højere driftstemperatur (op til 200°C)
Husdiode uden tab af genindvinding
Nem at køre
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Hip-247, SCTWA40N120G2V-4 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247 Nej SCT30N120
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW Nej SCTWA60N120G2-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4 Nej SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej