STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- RS-varenummer:
- 219-4227
- Producentens varenummer:
- SCTW40N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 219-4227
- Producentens varenummer:
- SCTW40N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCTW40N | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie SCTW40N | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovative 2. Generation af SIC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.
Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 200 °C)
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101