STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N Nej SCTW40N120G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 113,47

(ekskl. moms)

Kr. 141,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 113,47
5 - 9Kr. 110,48
10 - 24Kr. 107,64
25 +Kr. 104,94

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-4228
Producentens varenummer:
SCTW40N120G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCTW40N

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

700mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Portkildespænding maks.

22 V

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.15mm

Bredde

5.15 mm

Længde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovative 2. Generation af SIC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 200 °C)

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links