STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N Nej SCTW70N120G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 279,00

(ekskl. moms)

Kr. 348,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 279,00
5 - 9Kr. 271,45
10 - 14Kr. 264,34
15 - 19Kr. 257,61
20 +Kr. 251,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-3024
Producentens varenummer:
SCTW70N120G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

91A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCTW70N

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

21mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Effektafsættelse maks. Pd

547W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

20.15mm

Bredde

5.15 mm

Længde

15.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumcarbid Power MOSFET fremstilles ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber ved brede bandgab-materialer. Dette resulterer i uovertruffen on-Resistance pr. enhedsområde og meget god skifteevne næsten uafhængig af temperaturen. SIC-materialets enestående termiske egenskaber gør det muligt for designere at bruge et industristandard-omrids med markant forbedret termisk kapacitet. Disse funktioner gør enheden perfekt egnet til anvendelser med høj effektivitet og høj effekttæthed.

Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitans

Relaterede links