STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- RS-varenummer:
- 233-3024
- Producentens varenummer:
- SCTW70N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 255,44
(ekskl. moms)
Kr. 319,30
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 255,44 |
| 5 - 9 | Kr. 252,30 |
| 10 - 14 | Kr. 249,23 |
| 15 - 19 | Kr. 246,24 |
| 20 + | Kr. 243,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3024
- Producentens varenummer:
- SCTW70N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 91A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW70N | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 547W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 91A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCTW70N | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 547W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.7V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid Power MOSFET fremstilles ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber ved brede bandgab-materialer. Dette resulterer i uovertruffen on-Resistance pr. enhedsområde og meget god skifteevne næsten uafhængig af temperaturen. SIC-materialets enestående termiske egenskaber gør det muligt for designere at bruge et industristandard-omrids med markant forbedret termisk kapacitet. Disse funktioner gør enheden perfekt egnet til anvendelser med høj effektivitet og høj effekttæthed.
Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitans