STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTW Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 5.721,39

(ekskl. moms)

Kr. 7.151,73

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 190,713Kr. 5.721,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:
230-0093
Producentens varenummer:
SCTWA60N120G2-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTW

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

3V

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

388W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.9mm

Bredde

5.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

21.1mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics SCTWA60N er en MOSFET-enhed med siliciumkarbid, der er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ anden generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Kildesensorstift for øget effektivitet

Relaterede links