STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- RS-varenummer:
- 230-0094
- Producentens varenummer:
- SCTWA60N120G2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 230-0094
- Producentens varenummer:
- SCTWA60N120G2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 388W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 388W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics SCTWA60N er en MOSFET-enhed med siliciumkarbid, der er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ anden generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Kildesensorstift for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- STMicroelectronics 1 N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW70N