STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N
- RS-varenummer:
- 233-3023
- Producentens varenummer:
- SCTW70N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 7.649,73
(ekskl. moms)
Kr. 9.562,17
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 254,991 | Kr. 7.649,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3023
- Producentens varenummer:
- SCTW70N120G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 91A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTW70N | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 21mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 547W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 91A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTW70N | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 21mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 547W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid Power MOSFET fremstilles ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber ved brede bandgab-materialer. Dette resulterer i uovertruffen on-Resistance pr. enhedsområde og meget god skifteevne næsten uafhængig af temperaturen. SIC-materialets enestående termiske egenskaber gør det muligt for designere at bruge et industristandard-omrids med markant forbedret termisk kapacitet. Disse funktioner gør enheden perfekt egnet til anvendelser med høj effektivitet og høj effekttæthed.
Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitans
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW70N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT AEC-Q101