STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 8.420,31

(ekskl. moms)

Kr. 10.525,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 280,677Kr. 8.420,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
233-0474
Producentens varenummer:
SCTWA70N120G2V-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

91A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

30mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

547W

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

34.8mm

Bredde

15.6 mm

Højde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)

Kildesensorstift for øget effektivitet

Relaterede links