STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 91 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA70N120G2V-4 Nej SCTWA70N120G2V-4

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 260,75

(ekskl. moms)

Kr. 325,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 378 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 260,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-0475
Producentens varenummer:
SCTWA70N120G2V-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

91A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

30mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

547W

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Driftstemperatur maks.

200°C

Længde

34.8mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

15.6 mm

Højde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Meget høj samledstemperatur (TJ = 200 C)

Kildesensorstift for øget effektivitet

Relaterede links