STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.957,22

(ekskl. moms)

Kr. 3.696,54

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 98,574Kr. 2.957,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-234
Producentens varenummer:
SCT040W120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

1.2kV

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Portkildespænding maks.

22V

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.