STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 157,08

(ekskl. moms)

Kr. 196,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 157,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-235
Producentens varenummer:
SCT040W120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links