STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101 SCTW60N120G2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 177,87

(ekskl. moms)

Kr. 222,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 265 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 177,87
2 - 4Kr. 174,28
5 +Kr. 156,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-5530
Producentens varenummer:
SCTW60N120G2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

73mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

389W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Gennemgangsspænding Vf

3V

Portkildespænding maks.

18 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

5mm

Bredde

15.6 mm

Standarder/godkendelser

UL

Længde

34.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen. Den kan bruges i switch-mode strømforsyning, DC-DC-konvertere og industriel motorstyring.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Meget høj samledåstemperatur

Relaterede links