STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT
- RS-varenummer:
- 202-5479
- Producentens varenummer:
- SCT50N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 223,50
(ekskl. moms)
Kr. 279,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 223,50 |
| 5 - 9 | Kr. 220,73 |
| 10 + | Kr. 218,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5479
- Producentens varenummer:
- SCT50N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.59Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 318W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 34.95mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.59Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 318W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 34.95mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid power MOSFET er fremstillet ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber af brede bandgap-materialer. Dette resulterer i uovertruffen modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne næsten uafhængig af temperatur.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet