STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V, 3 Ben, Hip-247, SCTWA40N120G2V-4 Nej
- RS-varenummer:
- 212-2093
- Producentens varenummer:
- SCTWA40N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 212-2093
- Producentens varenummer:
- SCTWA40N120G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 277W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCTWA40N120G2V-4 | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 277W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET med TFS (TFS) IGBT med samme mærkespænding og tilsvarende ON-state modstand. STPOWER SiC MOSFET udviser betydeligt reduceret skiftetab, selv ved høje temperaturer. Dette gør det muligt for designeren at arbejde ved meget høje switching-frekvenser, hvilket reducerer størrelsen af passive komponenter til mindre formfaktorer.
Meget lavt skiftetab
Lavt effekttab ved høje temperaturer
Højere driftstemperatur (op til 200°C)
Husdiode uden tab af genindvinding
Nem at køre
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V HiP247-4, SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V HiP247 SCT30N120
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V HiP247-4 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Depletion HiP247, SCT SCTWA30N120
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V HiP247-4, SCT SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V HiP247-4, SCT SCT040W120G3-4
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V HiP247, SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V HiP247-4 SCTWA35N65G2V-4
