STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V, 7 Ben, H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 188,94

(ekskl. moms)

Kr. 236,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 188,94
10 - 99Kr. 170,10
100 +Kr. 156,78

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-232
Producentens varenummer:
SCT020H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT0

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

18.5mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

555W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

121nC

Gennemgangsspænding Vf

3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Power MOSFET-enhed i siliciumcarbid er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links

Recently viewed