STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-952
- Producentens varenummer:
- SCT025H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 123,72
(ekskl. moms)
Kr. 154,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 358 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 123,72 |
| 10 - 99 | Kr. 121,77 |
| 100 - 999 | Kr. 120,28 |
| 1000 + | Kr. 118,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-952
- Producentens varenummer:
- SCT025H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.7V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.25mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.7V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.25mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bredde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N MOSFET 7 Ben SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring H2PAK-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT