STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 123,72

(ekskl. moms)

Kr. 154,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 358 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 123,72
10 - 99Kr. 121,77
100 - 999Kr. 120,28
1000 +Kr. 118,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-952
Producentens varenummer:
SCT025H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT025H120G3AG

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

22V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Højde

4.8mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Bredde

10.4mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.