STMicroelectronics Type N, Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-951
- Producentens varenummer:
- SCT025H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 177.010,00
(ekskl. moms)
Kr. 221.260,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 177,01 | Kr. 177.010,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-951
- Producentens varenummer:
- SCT025H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.7V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Højde | 4.8mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.7V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.4mm | ||
Højde 4.8mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring H2PAK-7