STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V, 7 ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG

Se alle MOSFET
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
RS-varenummer:
214-951
Producentens varenummer:
SCT025H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

55 A

Drain source spænding maks.

1200 V

Kapslingstype

H2PAK-7

Serie

SCT025H120G3AG

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Kanalform

Enhancement

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links