STMicroelectronics Type N, Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 177.010,00

(ekskl. moms)

Kr. 221.260,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 177,01Kr. 177.010,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-951
Producentens varenummer:
SCT025H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT025H120G3AG

Monteringstype

Overflade, Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Længde

15.25mm

Højde

4.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links