STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
214-951
Producentens varenummer:
SCT025H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT025H120G3AG

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

2.7V

Portkildespænding maks.

22V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Bredde

10.4mm

Højde

4.8mm

Længde

15.25mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.