STMicroelectronics N-Kanal, SiC-strømmodul, 55 A 1200 V, 7 ben, H2PAK-7, SCTH50N120-7 SCTH50N120-7

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-3954
Producentens varenummer:
SCTH50N120-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

55 A

Drain source spænding maks.

1200 V

Kapslingstype

H2PAK-7

Serie

SCTH50N120-7

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks.

0,065 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5.1V

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er fremstillet ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber af brede bandgap-materialer. Dette resulterer i uovertruffen modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne næsten uafhængig af temperatur.

Meget lille variation i modstand mod
temperatur
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet

Relaterede links