STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET Nej SCT20N120H

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 99,56

(ekskl. moms)

Kr. 124,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 99,56
50 - 99Kr. 77,19
100 - 249Kr. 70,31
250 - 499Kr. 68,59
500 +Kr. 66,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
201-4416
Producentens varenummer:
SCT20N120H
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SiC MOSFET

Emballagetype

H2PAK-2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

203mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.7 mm

Længde

15.8mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er fremstillet ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber fra brede båndgap-materialer. SiC-materialet har enestående termiske egenskaber.

Meget lille variation i modstand mod temperatur

Meget høj funktion for samledetemperatur

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links