STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 85,87

(ekskl. moms)

Kr. 107,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.879 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 85,87
10 - 99Kr. 59,77
100 - 999Kr. 55,28
1000 +Kr. 54,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-3041
Producentens varenummer:
STH12N120K5-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

1.2kV

Serie

STB37N60

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

690mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44.2nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.8mm

Bredde

15.8mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET'er med meget høj spænding er designet med MDmesh TM K5-teknologi, der er baseret på en innovativ, egenudviklet lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af on-Resistance og ultra-lav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Zener-beskyttet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.