STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60 Nej STH12N120K5-2
- RS-varenummer:
- 233-3041
- Producentens varenummer:
- STH12N120K5-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 78,47
(ekskl. moms)
Kr. 98,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.903 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 78,47 |
| 10 - 99 | Kr. 74,58 |
| 100 - 249 | Kr. 70,76 |
| 250 - 499 | Kr. 67,25 |
| 500 + | Kr. 63,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3041
- Producentens varenummer:
- STH12N120K5-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | STB37N60 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 690mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 15.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie STB37N60 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 690mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 15.8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET'er med meget høj spænding er designet med MDmesh TM K5-teknologi, der er baseret på en innovativ, egenudviklet lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af on-Resistance og ultra-lav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 1200 V H2PAK-2, STB37N60 STH12N120K5-2
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 1200 V, Tape og rulle STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 1200 V H2PAK-2, SiC MOSFET SCT20N120H
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V H2PAK-7 SCTH60N120G2-7
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V H2PAK-7, SCT SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 1200 V H2PAK-7, SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V H2PAK-7, SCT SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7