STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 54.248,00

(ekskl. moms)

Kr. 67.810,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 54,248Kr. 54.248,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
233-3040
Producentens varenummer:
STH12N120K5-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK

Serie

STB37N60

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

690mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.8mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

15.8 mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET'er med meget høj spænding er designet med MDmesh TM K5-teknologi, der er baseret på en innovativ, egenudviklet lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af on-Resistance og ultra-lav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Zener-beskyttet

Relaterede links