STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 20 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- RS-varenummer:
- 201-4415
- Producentens varenummer:
- SCT20N120H
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 201-4415
- Producentens varenummer:
- SCT20N120H
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 203mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Højde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 203mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.8mm | ||
Højde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er fremstillet ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber fra brede båndgap-materialer. SiC-materialet har enestående termiske egenskaber.
Meget lille variation i modstand mod temperatur
Meget høj funktion for samledetemperatur
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCTH50N120-7
- STMicroelectronics N-Kanal 7 Ben STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 1200 V Forbedring H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring H2PAK-7
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101