STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- RS-varenummer:
- 201-4415
- Producentens varenummer:
- SCT20N120H
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 78.410,00
(ekskl. moms)
Kr. 98.010,00
(inkl. moms)
Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 78,41 | Kr. 78.410,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-4415
- Producentens varenummer:
- SCT20N120H
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 203mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Højde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 203mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.8mm | ||
Højde 10.4mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er fremstillet ved at udnytte Advanced, innovative egenskaber fra brede båndgap-materialer. SiC-materialet har enestående termiske egenskaber.
Meget lille variation i modstand mod temperatur
Meget høj funktion for samledetemperatur
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Forbedring H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 1200 V H2PAK-7, SCTH50N120-7 SCTH50N120-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1.5 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7